Khi nhìn vào thông số kỹ thuật của RAM bạn sẽ thấy một vài thông số như: tần số (MHz), dung lượng (GB) và độ trễ (CLxx-xx-xx-xx với xx là các con số). Chúng ta vẫn thường đánh giá hiệu suất của RAM dựa trên tần số xung nhịp.
Tuy nhiên thực tế không phải như vậy. Hiệu suất RAM còn phụ thuộc vào thông số độ trễ (CL hay CAS Latency) nữa. Ví dụ: nếu có hai thanh RAM có xung nhịp lần lượt là 2133MHz và 2400MHz thì chưa chắc cái có tần số cao hơn đã nhanh hơn đâu.
Vậy CAS Latency của RAM là gì? Nó ảnh hưởng tới hiệu suất của RAM ra sao và làm thế nào để kiểm tra đỗ trễ của RAM. Hãy cùng bài viết tìm hiểu nhé.
RAM Timings: CAS, RAS, tRCD, tRP, tRAS
RAM Timings là gì?
Mặc dù tần số xung nhịp là thông số được mọi người quan tâm nhiều hơn. Tuy nhiên RAM Timings lại đóng vai trò quan trọng trong hiệu năng tổng thể cũng như độ ổn định của RAM.
RAM Timings là độ trễ vốn có mà RAM có thể gặp phải trong khi thực hiện các hoạt động khác nhau. RAM Timing được đo bằng chu kỳ đồng hồ.
Bạn có thể nhìn thấy CLxx-xx-xx-xx với xx là các con số trên nhãn dán của RAM. Đây là những con số thể hiện độ trễ của RAM.
CAS Latency
CAS Latency (CL) là viết tắt của Column Address Strobe Latency, tức là độ trễ trong chu kỳ đồng hồ giữa lệnh READ và dữ liệu thời điểm có sẵn. Nói một cách dễ hiểu, CL biểu thị cho số xung nhịp mà thanh RAM cần trải qua để phản hồi lại tín hiệu từ CPU.
Độ trễ này xảy ra khi CPU giao tiếp với RAM và được tính bằng khoảng thời gian giữa một yêu cầu thông tin đến cột bộ nhớ nơi thông tin được lưu trữ và thông tin có sẵn. Độ trễ được đo bằng đơn vị chu kỳ đồng hồ.
Cách kiểm tra độ trễ của RAM
Ngoài việc kiểm tra nhãn dán trên RAM ra thì bạn có thể sử dụng một vài cách dưới đây để check CAS Latency của RAM.
Sử dụng phần mềm CPU-Z
- Lên trang chủ của CPU-Z để tải về phần mềm.
- Sau khi tải xong, cài đặt bình thường.
- Mở phần mềm lên chọn tab Memory. Ở mục Timings nhìn vào CAS# Latency (CL).
Sử dụng Command Prompt
- Nhấn tổ hợp phím Windows + R, gõ cmd và nhấn Enter.
- Chạy dòng lệnh dưới đây
wmic memorychip get manufacturer, capacity, partnumber, speed, memorytype, devicelocator, formfactor - Copy PartNumber và tìm kiếm giá trị này trên Google. Bằng cách này cũng có thể xem được độ trễ RAM máy tính của bạn.
Vai trò của CAS Latency trong RAM
Vì CAS Latency là thông số thể hiện số lượng chu kỳ xung nhịp RAM cần thiết để RAM xuất dữ liệu được gọi bởi CPU nên bạn có thể hiểu đơn giản rằng RAM có CAS 18 thì nó cần 18 chu kỳ xung nhịp RAM để hoàn thành tác vụ này. Do vậy, CAS Latency càng thấp thì càng tốt.
CL có thể được gọi theo một số cách khác nhau. Ví dụ, một thanh RAM có độ trễ CAS là 18, có thể được mô tả là CAS 18 hoặc CL18.
Tuy nhiên, bạn cần lưu ý là hai thanh RAM khác nhau có cùng tốc độ truyền dữ liệu, chẳng hạn như DDR4-3200, có thể có thời gian CAS khác nhau.
Ví dụ, RAM Team Group Delta Tuf Gaming RGB DDR4-3200 và G.SKILL Trident Z Royal DDR4-3200 đều có tốc độ truyền DDR4-3200. Tuy nhiên, chúng có CAS khác nhau lần lượt là CL16-18-18-38 (CAS 16) và CL14-14-14-34 (CAS 14). Vì vậy, bạn có thể dễ dàng nhận ra rằng RAM G.SKILL có độ trễ thấp hơn so với RAM của Team Group. Với cùng một tần số 3200MHz, sản phẩm bộ nhớ của G.SKILL chắc chắn sẽ cung cấp thời gian phản hồi nhanh hơn.
Độ trễ và tốc độ xung nhịp trong RAM
Bạn có thể hình dung RAM trên máy tính như một đường cao tốc và số lượng thanh RAM đại diện cho các làn đường trên cao tốc đó. Nếu như kích thước RAM xác định số lượng xe có thể tham gia trên mỗi làn đường tại một thời điểm, tốc độ của RAM là giới hạn tốc độ trên đường cao tốc.
Bạn có thể mở thêm làn đường trên đường cao tốc bằng cách lắp thêm nhiều thanh RAM, điều này làm tăng thêm số làn của đường cao tốc. Nhưng nếu bạn không thể thay đổi được giới hạn tốc độ trên đường, bạn sẽ không làm cho PC của mình chạy nhanh hơn. Khi đó, bạn cần tăng tốc độ xung nhịp của RAM.
Tuy nhiên, độ trễ thực sự của RAM có thể được tính như sau:
(Độ trễ CAS/tốc độ xung nhịp RAM) x 2000 = độ trễ tính bằng nano giây (ns)
Vì vậy, CAS Latency RAM cao hơn vẫn có thể gây ra độ trễ tổng thể cao hơn ngay cả khi bạn tăng tốc độ xung nhịp RAM. Điều này đồng nghĩa là độ trễ RAM rất quan trọng khi so sánh các RAM có cùng dung lượng và tốc độ.
Hiện nay, RAM DDR4 là loại bộ nhớ phổ biến nhất trên máy tính hiện đại. Tuy nhiên, chuẩn bộ nhớ này lại có độ trễ CAS cao hơn so với tiêu chuẩn bộ nhớ thế hệ cũ. Ví dụ, RAM DDR3 thường có độ trễ CAS là 9 hoặc 10 trong khi DDR4 sẽ có độ trễ CAS ít nhất là 15. Tuy nhiên, do tốc độ xung nhịp nhanh hơn, RAM đời mới vẫn có hiệu suất tốt hơn về tổng thể.
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD) là đỗ trệ có thể có giữa các hoạt động đọc/ghi. Vì các mô-đun RAM sử dụng thiết kế lưới để đánh địa chỉ, giao điểm của các hàng và cột biểu thị một địa chỉ ô nhớ.
tRCD là số chu kỳ đồng hồ tối thiểu cần thiết để mở một hàng và truy cập vào một cột. Thời gian để đọc bit bộ nhớ đầu tiên từ DRAM mà không có bất kỳ hàng nào đang hoạt động sẽ làm tăng độ trễ: tRCD + CL.
Ngoài ra tRCD có thể được coi là thời gian tối thiểu để RAM đi đến địa chỉ mới.
Row PreCharge Time (tRP)
tRP đo độ trễ giữa việc đóng một hàng và mở một hàng mới. Trong trường hợp mở sai hàng (page miss) thì phải đóng hàng đó (precharging) và mở hàng tiếp theo.
Chỉ sau khi precharging, cột trang hàng tiếp theo mới có thể được truy cập. Vì vậy thời gian trễ bị tăng lên thành: tRP + tRCD +CL.
Row Active Time (tRAS)
Còn được biết đến là Activate to Precharge Delay hoặc Minimum RAS Active Time, tRAS là số chu kỳ đồng hồ tối thiểu cần thiết giữa lệnh kích hoạt một hàng và lệnh precharge.
Trong các mô-đun SDRAM, giá trị của tRAS được tính bằng tRCD + CL. Ngoài ra, ở một số trường hợp, nó cũng có thể xấp xỉ tRCD + 2xCL.
tRAS đo số chu kỳ tối thiểu mà một hàng phải duy trì mở để ghi dữ liệu đúng cách.
